Vishay SiSS5623DN Type P-Channel MOSFET, 36.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5623DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*

€ 8,932

(excl. BTW)

€ 10,808

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
4 - 56€ 2,233€ 8,93
60 - 96€ 2,14€ 8,56
100 - 236€ 1,893€ 7,57
240 - 996€ 1,86€ 7,44
1000 +€ 1,828€ 7,31

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
280-0001
Fabrikantnummer:
SISS5623DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

36.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SiSS5623DN

Package Type

1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.046Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.1nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Ultra low RDS x Qg FOM product

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links