Vishay SiSS5623DN Type P-Channel MOSFET, 36.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5623DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*

€ 8,78

(excl. BTW)

€ 10,624

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
4 - 56€ 2,195€ 8,78
60 - 96€ 2,105€ 8,42
100 - 236€ 1,863€ 7,45
240 - 996€ 1,83€ 7,32
1000 +€ 1,798€ 7,19

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
280-0001
Fabrikantnummer:
SISS5623DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

36.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SiSS5623DN

Package Type

1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.046Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.1nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Ultra low RDS x Qg FOM product

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links