Vishay SISS N-Channel MOSFET, 66.6 A, 80 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5808DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (3000 eenheden, op een rol van 3000)*

€ 1.875,00

(excl. BTW)

€ 2.268,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,625€ 1.875,00

*prijsindicatie

Alternatief

Dit product is momenteel niet beschikbaar. Hierbij onze aanbeveling voor een alternatief product.

presentation
Vishay SISS N-Channel MOSFET, 66.6 A, 80 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5808DN-T1-GE3
RS-stocknr.
280-0003

Elk (in een pakket van 4)

€ 9,13

(excl. BTW)

€ 11,05

(incl. BTW)

RS-stocknr.:
280-0002
Fabrikantnummer:
SISS5808DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

66.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

1212-8S

Series

SISS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00745Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.