Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 66.6 A, 80 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5808DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.995,00

(excl. BTW)

€ 2.415,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 30 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,665€ 1.995,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
280-0002
Fabrikantnummer:
SISS5808DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

66.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SISS

Package Type

1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00745Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links