Vishay SIZF4800LDT 2 Type N-Channel MOSFET, 36 A, 80 V Enhancement, 12-Pin 3 x 3FS SIZF4800LDT-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*

€ 8,512

(excl. BTW)

€ 10,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
4 - 56€ 2,128€ 8,51
60 - 96€ 1,595€ 6,38
100 - 236€ 1,425€ 5,70
240 - 996€ 1,393€ 5,57
1000 +€ 1,368€ 5,47

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
280-0006
Fabrikantnummer:
SIZF4800LDT-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

36A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

3 x 3FS

Series

SIZF4800LDT

Mount Type

Surface

Pin Count

12

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

80 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a Dual N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Symmetric dual n-channel

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links