Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 36 A, 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SISS4410DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 7,48

(excl. BTW)

€ 9,05

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.960 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 0,748€ 7,48
50 - 90€ 0,562€ 5,62
100 - 240€ 0,499€ 4,99
250 - 990€ 0,488€ 4,88
1000 +€ 0,478€ 4,78

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9990
Fabrikantnummer:
SISS4410DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

36A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

1212-8

Series

SISS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.009Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

19.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links