Vishay SQS Type N-Channel MOSFET, 192 A, 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8SLW SQS120ELNW-T1_GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.239,00

(excl. BTW)

€ 1.500,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,413€ 1.239,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
280-0029
Fabrikantnummer:
SQS120ELNW-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

192A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SQS

Package Type

1212-8SLW

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0033Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

88nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

119W

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay Automotive MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

AEC-Q101 qualified

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links