Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 178.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS66DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 9,44

(excl. BTW)

€ 11,42

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 10 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,944€ 9,44
100 - 240€ 0,741€ 7,41
250 - 490€ 0,679€ 6,79
500 - 990€ 0,623€ 6,23
1000 +€ 0,538€ 5,38

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
281-6040
Fabrikantnummer:
SISS66DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

178.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Series

SIS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00138Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24.7nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3 mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N-channel MOSFET with schottky diode has applications in synchronous rectification, synchronous buck converter, and DC/DC conversions.

TrenchFET Generation IV power MOSFET

SKYFET with monolithic schottky diode

Gerelateerde Links