Vishay Si2308BDS Type N-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2308BDS-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 9,06

(excl. BTW)

€ 10,96

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • 40 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Laatste verzending 540 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,453€ 9,06
200 - 480€ 0,34€ 6,80
500 - 980€ 0,317€ 6,34
1000 - 1980€ 0,273€ 5,46
2000 +€ 0,226€ 4,52

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
710-3257
Fabrikantnummer:
SI2308BDS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

Si2308BDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.192Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.66W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.3nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links