N-Channel MOSFET Transistor, 38 A, 1000 V, 3-Pin PLUS264 IXYS IXFB38N100Q2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal 2 eenheden (geleverd in een buis)*

€ 56,02

(excl. BTW)

€ 67,78

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
Aantal stuks
Per stuk
2 - 4€ 28,01
5 - 9€ 25,87
10 - 19€ 24,07
20 +€ 24,06

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
711-5336P
Fabrikantnummer:
IXFB38N100Q2
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

38 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Package Type

PLUS264

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Maximum Power Dissipation

890 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

20.29mm

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

250 nC @ 10 V

Width

5.31mm

Series

HiperFET, Q-Class

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

26.59mm

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links