Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4925DDY-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 4,99

(excl. BTW)

€ 6,04

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 75 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 6.550 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 0,998€ 4,99
50 - 245€ 0,938€ 4,69
250 - 495€ 0,852€ 4,26
500 - 1245€ 0,798€ 3,99
1250 +€ 0,748€ 3,74

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9052
Fabrikantnummer:
SI4925DDY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

41mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Length

5mm

Width

4 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links