Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4946BEY-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 10,38

(excl. BTW)

€ 12,56

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • 35 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Laatste verzending 1.725 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,076€ 10,38
50 - 120€ 1,764€ 8,82
125 - 245€ 1,664€ 8,32
250 - 495€ 1,558€ 7,79
500 +€ 1,452€ 7,26

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9027
Fabrikantnummer:
SI4946BEY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

3.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Width

4 mm

Height

1.55mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links