Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 8,26

(excl. BTW)

€ 9,995

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Plus verzending 20 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Laatste verzending 2.965 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,652€ 8,26
50 - 245€ 1,42€ 7,10
250 - 495€ 1,154€ 5,77
500 - 1245€ 0,96€ 4,80
1250 +€ 0,876€ 4,38

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9008
Fabrikantnummer:
SI4948BEY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-0.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.4W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.5mm

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Width

4 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links