Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 17,34

(excl. BTW)

€ 20,98

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 4.940 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 80€ 0,867€ 17,34
100 - 180€ 0,736€ 14,72
200 - 480€ 0,624€ 12,48
500 - 980€ 0,58€ 11,60
1000 +€ 0,555€ 11,10

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
818-1302
Fabrikantnummer:
SI4909DY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

34mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

3.2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41.5nC

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Height

1.55mm

Length

5mm

Width

4 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links