Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 13,86

(excl. BTW)

€ 16,78

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 4.940 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 80€ 0,693€ 13,86
100 - 180€ 0,589€ 11,78
200 - 480€ 0,499€ 9,98
500 - 980€ 0,464€ 9,28
1000 +€ 0,444€ 8,88

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
818-1302
Fabrikantnummer:
SI4909DY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

34mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

3.2W

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Height

1.55mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links