Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2365EDS-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 11,05

(excl. BTW)

€ 13,35

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 56.500 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
50 - 450€ 0,221€ 11,05
500 - 1200€ 0,155€ 7,75
1250 - 2450€ 0,121€ 6,05
2500 - 4950€ 0,11€ 5,50
5000 +€ 0,088€ 4,40

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
812-3139
Fabrikantnummer:
SI2365EDS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

5.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0675Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-50°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.8nC

Forward Voltage Vf

-0.8V

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links