Vishay Si2338DS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2338DS-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 8,80

(excl. BTW)

€ 10,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Laatste 7.740 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,44€ 8,80
200 - 480€ 0,339€ 6,78
500 - 980€ 0,317€ 6,34
1000 - 1980€ 0,286€ 5,72
2000 +€ 0,265€ 5,30

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
812-3126
Fabrikantnummer:
Si2338DS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

Si2338DS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.033Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.2nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Width

1.4 mm

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links