Vishay Si2366DS Type N-Channel MOSFET, 5.8 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2366DS-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 7,32

(excl. BTW)

€ 8,86

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 200 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
  • Plus verzending 2.640 stuk(s) vanaf 12 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 +€ 0,366€ 7,32

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
812-3132
Fabrikantnummer:
SI2366DS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Series

Si2366DS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

42mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.1W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.02mm

Width

1.4 mm

Length

3.04mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links