Vishay Si4178DY Type N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 8,76

(excl. BTW)

€ 10,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.720 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,438€ 8,76
200 - 480€ 0,351€ 7,02
500 - 980€ 0,329€ 6,58
1000 - 1980€ 0,285€ 5,70
2000 +€ 0,237€ 4,74

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
812-3205
Fabrikantnummer:
SI4178DY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

Si4178DY

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.55mm

Width

4 mm

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links