Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 12,66

(excl. BTW)

€ 15,32

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,633€ 12,66
200 - 480€ 0,468€ 9,36
500 - 980€ 0,392€ 7,84
1000 - 1980€ 0,348€ 6,96
2000 +€ 0,254€ 5,08

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
814-1213
Fabrikantnummer:
SIA449DJ-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-363

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.038Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23.1nC

Forward Voltage Vf

-0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

0.8mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links