Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 2,42

(excl. BTW)

€ 2,92

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 2.920 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 +€ 0,121€ 2,42

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
814-1213
Fabrikantnummer:
SIA449DJ-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.038Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23.1nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

2.15mm

Height

0.8mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.