Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB600N25N3GATMA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 22,74

(excl. BTW)

€ 27,52

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 540 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 10€ 2,274€ 22,74
20 - 40€ 2,16€ 21,60
50 - 90€ 2,072€ 20,72
100 - 240€ 1,978€ 19,78
250 +€ 1,842€ 18,42

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
826-9204
Fabrikantnummer:
IPB600N25N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.31mm

Width

9.45 mm

Height

4.57mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links