Infineon RF Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 6-Pin SOT-363

Bekijk alle Bipolar Transistors
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 663,00

(excl. BTW)

€ 801,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 30 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,221€ 663,00
6000 +€ 0,21€ 630,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
259-1459
Fabrikantnummer:
BFS483H6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

65mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Power Dissipation Pd

450mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

6

Standards/Approvals

RoHS

Height

0.9mm

Series

BFS

Length

2.1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA.

Pb-free (RoHS compliant) package

Two (galvanic) internal isolated Transistor in one package

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.