Infineon RF Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 4-Pin SOT-343
- RS-stocknr.:
- 273-7296
- Fabrikantnummer:
- BFP183WH6327XTSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*
€ 6,45
(excl. BTW)
€ 7,80
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- 12.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 0,258 | € 6,45 |
| 50 - 75 | € 0,252 | € 6,30 |
| 100 - 225 | € 0,143 | € 3,58 |
| 250 - 975 | € 0,14 | € 3,50 |
| 1000 + | € 0,107 | € 2,68 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 273-7296
- Fabrikantnummer:
- BFP183WH6327XTSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 65mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 450mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | BFP183W | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 65mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 450mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series BFP183W | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Silicon RF Transistor designed for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA. This silicon RF transistor has qualification report according to AEC Q101.
Halogen free
Pb free package
RoHS compliant
Available with visible leads
Gerelateerde Links
- Infineon BFP183WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP183WH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 12 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 4.1 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343