Infineon BFS481H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 20 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363

Bekijk alle Bipolar Transistors

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 849,00

(excl. BTW)

€ 1.026,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,283€ 849,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-7308
Fabrikantnummer:
BFS481H6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

20mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Two (Galvanic) Internal Isolated Transistors In One Package

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Power Dissipation Pd

175mW

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Minimum DC Current Gain hFE

70

Pin Count

6

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

BFS481

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon Silicon Bipolar RF Transistor is designed for high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA. This RF transistor has qualification report according to AEC Q101.

Halogen free

Easy to use

Pb free package

RoHS compliant

With visible leads

Gerelateerde Links