Fabrikantnummer

Infineon BFP842ESDH6327XTSA1 Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 3.7 V, 4-Pin SOT-343

RS-stocknr.:: 273-2850
Fabrikantnummer:: BFP842ESDH6327XTSA1
Fabrikant:: Infineon

Infineon BFP842ESDH6327XTSA1 Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 3.7 V, 4-Pin SOT-343

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 2,93

(excl. BTW)

€ 3,55

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

Plus verzending 20 stuk(s) vanaf 09 november 2026
Plus verzending 3.000 stuk(s) vanaf 29 april 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
10 - 40	€ 0,293	€ 2,93
50 - 90	€ 0,287	€ 2,87
100 - 240	€ 0,218	€ 2,18
250 - 990	€ 0,214	€ 2,14
1000 +	€ 0,167	€ 1,67

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 273-2850
Fabrikantnummer:: BFP842ESDH6327XTSA1
Fabrikant:: Infineon

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Infineon
	Product Type	Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	40mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	3.7V
	Package Type	SOT-343
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	4.1V
	Maximum Transition Frequency ft	57GHz
	Maximum Power Dissipation Pd	120mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	4
	Standards/Approvals	JEDEC47/20/22, RoHS

	Alles selecteren
	Merk Infineon
	Product Type Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 40mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 3.7V
	Package Type SOT-343
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 4.1V
	Maximum Transition Frequency ft 57GHz
	Maximum Power Dissipation Pd 120mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 4
	Standards/Approvals JEDEC47/20/22, RoHS

Datasheet - BFP842ESDH6327XTSA1

The Infineon high performance RF heterojunction bipolar transistor with an integrated ESD protection suitable for 2.3 to 3.5 GHz LNA applications.

Suitable for low voltage applications

It has application in wireless communications like WLAN, WiMAX and Bluetooth

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.