Infineon BFR182WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 35 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 417,00

(excl. BTW)

€ 504,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 9.000 stuk(s) vanaf 03 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,139€ 417,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-7304
Fabrikantnummer:
BFR182WH6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

35mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-323

Mount Type

Surface

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

3

Series

BFR182W

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon Silicon Bipolar RF Transistor is designed for low noise and high gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA. This RF transistor has qualification report according to AEC Q101.

Easy to use

Halogen free

Pb free package

RoHS compliant

With visible leads

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.