Infineon, Type N-Channel IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 57,24

(excl. BTW)

€ 69,27

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 - 30€ 1,908€ 57,24
60 - 120€ 1,813€ 54,39
150 - 270€ 1,736€ 52,08
300 - 570€ 1,66€ 49,80
600 +€ 1,546€ 46,38

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
215-6633
Fabrikantnummer:
IGW30N65L5XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

85A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

227W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

LowVCE(sat) Fifth Generation

Standards/Approvals

Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC

Automotive Standard

No

The Infineon fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low saturation voltage.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Gerelateerde Links