Infineon IKZ50N65EH5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 85 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,46

(excl. BTW)

€ 12,66

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 236 stuk(s) vanaf 16 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 5,23€ 10,46
10 - 18€ 4,71€ 9,42
20 - 48€ 4,445€ 8,89
50 - 98€ 4,135€ 8,27
100 +€ 3,82€ 7,64

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
215-6677
Fabrikantnummer:
IKZ50N65EH5XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

85A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

273W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

4

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

JEDEC

Series

High Speed Fifth Generation

Automotive Standard

No

The Infineon 650v duopack insulated-gate bipolar transistor and diode copacked with rapid 1 fast and soft antiparallel diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Gerelateerde Links