Infineon IKW30N65EL5XKSA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 85 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 7,85

(excl. BTW)

€ 9,498

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 3,925€ 7,85
10 - 18€ 3,535€ 7,07
20 - 48€ 3,295€ 6,59
50 - 98€ 3,06€ 6,12
100 +€ 2,545€ 5,09

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
226-6113
Fabrikantnummer:
IKW30N65EL5XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Continuous Collector Current Ic

85A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

227W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.3mm

Length

41.9mm

Width

16.3 mm

Series

LowVCE(sat) Fifth Generation

Standards/Approvals

JEDEC

Automotive Standard

No

The Infineon IKW30N65EL5 has 650V breakdown voltage used very low collector-emitter saturation voltage and higher efficiency for 50Hz. It has longer lifetime and higher reliability of IGBT.

Low gate charge QG

Maximum junction temperature 175°C

Qualified according to JEDEC for target applications

Gerelateerde Links