Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,08

(excl. BTW)

€ 12,20

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.102 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 5,04€ 10,08
10 - 48€ 4,53€ 9,06
50 - 98€ 4,275€ 8,55
100 - 248€ 3,72€ 7,44
250 +€ 3,645€ 7,29

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
253-3509
Fabrikantnummer:
BIDW50N65T
Fabrikant:
Bourns
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Bourns

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

416 W

Number of Transistors

1

Configuration

Single Diode

Package Type

TO-247

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure provides a lower thermal resistance R(th).

650 V, 50 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))
Trench-Gate Field-Stop technology
Optimized for conduction
RoHS compliant

Gerelateerde Links