Toshiba GT15J341, Type N-Channel IGBT, 15 A 600 V, 3-Pin TO-220SIS, Through Hole

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
796-5046
Fabrikantnummer:
GT15J341
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Maximum Continuous Collector Current Ic

15A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

30W

Package Type

TO-220SIS

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

100kHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±25 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, Toshiba


IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.