ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L070BGTB1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 10 eenheden)*

€ 5,59

(excl. BTW)

€ 6,76

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 90 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
10 - 90€ 0,559€ 5,59
100 - 240€ 0,53€ 5,30
250 - 490€ 0,492€ 4,92
500 - 990€ 0,452€ 4,52
1000 +€ 0,437€ 4,37

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
264-477
Fabrikantnummer:
RQ3L070BGTB1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

RQ3

Package Type

HSMT-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

24.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

15W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.6nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The ROHM power MOSFET 60V 20A offers low on-resistance, making it ideal for primary side switching, motor drives, and DC-DC converters.

Low on-resistance

Small Surface Mount Package

Pb-free plating and RoHS compliant

Gerelateerde Links