ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L060BGTB1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 10 eenheden)*

€ 5,09

(excl. BTW)

€ 6,16

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 100 stuk(s) vanaf 06 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
10 - 90€ 0,509€ 5,09
100 - 240€ 0,484€ 4,84
250 - 490€ 0,449€ 4,49
500 - 990€ 0,413€ 4,13
1000 +€ 0,397€ 3,97

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
264-578
Fabrikantnummer:
RQ3L060BGTB1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

HSMT-8

Series

RQ3

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

38mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

14W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The ROHM N-channel 60V 15.5A power MOSFET in an HSMT8 package features low on-resistance and a high-power design, making it ideal for switching, motor drives, and DC or DC converter applications.

Low on-resistance

High Power small mold Package HSMT8

Pb-free plating and RoHS compliant

Halogen Free

100% Rg and UIS tested

Gerelateerde Links