ROHM HT8K 2 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KE6TB1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 10 eenheden)*

€ 8,16

(excl. BTW)

€ 9,87

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 100 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
10 - 90€ 0,816€ 8,16
100 - 240€ 0,775€ 7,75
250 - 490€ 0,718€ 7,18
500 - 990€ 0,661€ 6,61
1000 +€ 0,636€ 6,36

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
264-876
Fabrikantnummer:
HT8KE6TB1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

HSMT-8

Series

HT8K

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

57mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

14W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The ROHM power MOSFET features a dual N-channel configuration with a voltage rating of 100V and a current capacity of 13A. Designed in an HSOP8 package and offers low on-resistance.

Low on-resistance

Small Surface Mount Package (HSOP8)

Pb-free lead plating and RoHS compliant

Halogen Free

Gerelateerde Links