ROHM R65 1 Type N-Channel MOSFET, 125 A, 30 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RH6E040BGTB1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 10 eenheden)*

€ 8,55

(excl. BTW)

€ 10,35

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 100 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
10 - 90€ 0,855€ 8,55
100 - 240€ 0,812€ 8,12
250 - 490€ 0,752€ 7,52
500 - 990€ 0,694€ 6,94
1000 +€ 0,667€ 6,67

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
265-310
Fabrikantnummer:
RH6E040BGTB1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

125A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

R65

Package Type

HSMT-8

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30.0nC

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Number of Elements per Chip

1

The ROHM Power MOSFET features low on resistance and is housed in a compact, high power small mould package. It is well suited for a variety of applications, including switching, motor drives, and DC/DC converters, delivering efficient performance in space-constrained environments.

Pb free plating

RoHS compliant

High power small mould package

Low on resistance

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links