Infineon IQF Type N-Channel Power Transistor, 451 A, 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH55N04NM6ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,25

(excl. BTW)

€ 12,402

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 5,125€ 10,25
20 - 198€ 4,61€ 9,22
200 - 998€ 4,255€ 8,51
1000 - 1998€ 3,95€ 7,90
2000 +€ 3,535€ 7,07

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
349-390
Fabrikantnummer:
IQFH55N04NM6ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Power Transistor

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

451A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IQF

Package Type

PG-TSON-12

Mount Type

Surface

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.55mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

118nC

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 40 V is specifically optimized for low voltage drive applications and battery powered systems, making it ideal for energy efficient designs. It is also optimized for synchronous applications, ensuring enhanced performance. The MOSFET features very low on-resistance (RDS(on)), minimizing conduction losses for improved efficiency. Additionally, it is 100% avalanche tested, ensuring reliable performance under demanding conditions.

Superior thermal resistance

N channel

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Gerelateerde Links