Infineon Isolated F4 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 2-Pin AG-EASY2B F445MR12W1M1B76BPSA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tray van 24 eenheden)*

€ 1.698,984

(excl. BTW)

€ 2.055,768

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 29 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tray*
24 - 24€ 70,791€ 1.698,98
48 - 48€ 67,251€ 1.614,02
72 +€ 63,925€ 1.534,20

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
234-8967
Fabrikantnummer:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

AG-EASY2B

Series

F4

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.062μC

Forward Voltage Vf

5.65V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

15 V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

62.8mm

Width

33.8 mm

Height

16.4mm

Standards/Approvals

60749 and 60068, IEC 60747

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT module has a 4 N-Channel (Half Bridge) FET Type works with 1200V Drain to Source Voltage and 75A continuous drain current.

Chassis mount

-40°C to 150°C operating temperature

Gerelateerde Links