ROHM RD3 Type N-Channel Single MOSFETs, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3P04BBKHRBTL

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 10 eenheden)*

€ 7,64

(excl. BTW)

€ 9,24

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 90 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
10 - 90€ 0,764€ 7,64
100 - 490€ 0,672€ 6,72
500 - 990€ 0,604€ 6,04
1000 +€ 0,478€ 4,78

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
646-544
Fabrikantnummer:
RD3P04BBKHRBTL
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

RD3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

30mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

53W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, AEC-Q101

Width

6.8 mm

Length

10.50mm

Height

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The ROHM P channel 100 volt 36 ampere power metal oxide semiconductor field effect transistor features lead free plating and is restriction of hazardous substances compliant. It is one hundred percent avalanche tested.

Low on-resistance

AEC-Q101 qualified

Gerelateerde Links