Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs, 18 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 0,73

(excl. BTW)

€ 0,88

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Rol(len)
Per rol
1 - 24€ 0,73
25 - 99€ 0,71
100 - 499€ 0,70
500 - 999€ 0,59
1000 +€ 0,55

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-111
Fabrikantnummer:
SIR5712DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

SIR5712DP

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0555Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

40W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.15mm

Standards/Approvals

No

Height

1.04mm

Width

5.15 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in power-dense systems. It supports up to 150 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8, it utilizes TrenchFET Gen V technology to deliver low RDS(on), reduced gate charge, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links