Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 14,30

(excl. BTW)

€ 17,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 01 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 25€ 0,572€ 14,30
50 - 75€ 0,561€ 14,03
100 - 225€ 0,427€ 10,68
250 - 975€ 0,418€ 10,45
1000 +€ 0,259€ 6,48

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
268-8340
Fabrikantnummer:
SIS112LDN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SIS

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.119Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

19.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11.8nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is single configuration MOSFET. It is lead free and halogen free and It is used an application as primary side switch, motor drive switch and boost converter.

Tuned for the lowest figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

Gerelateerde Links