Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 69.4 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS184LDN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 8,52

(excl. BTW)

€ 10,31

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 6.045 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,704€ 8,52
50 - 95€ 1,538€ 7,69
100 - 245€ 1,238€ 6,19
250 - 995€ 1,214€ 6,07
1000 +€ 0,838€ 4,19

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
268-8342
Fabrikantnummer:
SIS184LDN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

69.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SIS

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0054Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive switch, battery and load switch.

Very low figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

Gerelateerde Links