Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 680 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS4300DP

Afbeelding representeert productcategorie

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,77

(excl. BTW)

€ 4,56

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 09 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 3,77
10 - 49€ 2,34
50 - 99€ 1,80
100 +€ 1,33

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-147
Fabrikantnummer:
SiRS4300DP
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

680A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiR

Package Type

PowerPAK SO-8S

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0004Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

30V

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

180nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5mm

Height

2mm

Length

6mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 30V drain-source voltage, engineered for ultra-low loss synchronous rectification in AI power server buck converters and high-current power delivery systems. It achieves exceptionally low on-resistance of 400μΩ at 10V gate drive to maximize efficiency in extreme high-density applications.

278W power dissipation rating

100% Rg and UIS tested construction

Gerelateerde Links