Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 265 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS5800DP

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,40

(excl. BTW)

€ 4,11

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 3,40
10 - 49€ 2,10
50 - 99€ 1,63
100 +€ 1,20

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-133
Fabrikantnummer:
SiRS5800DP
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

265A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK SO-8S

Series

SiR

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0018Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

81nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

80V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

5mm

Height

2mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 80V drain-source voltage, optimized for low-loss synchronous rectification in AI power server buck converters. It achieves industry-leading on-resistance of 1.8mΩ maximum at 10V gate drive for superior efficiency under high load conditions.

265A pulsed drain current rating

81nC typical total gate charge

52°C/W thermal resistance junction-to-case

Gerelateerde Links