Fabrikantnummer

Vishay SiR N-Channel MOSFET, 265 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SIRS5800DP-T1-GE3

RS-stocknr.:: 735-133
Fabrikantnummer:: SIRS5800DP-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SiR N-Channel MOSFET, 265 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SIRS5800DP-T1-GE3

Afbeelding representeert productcategorie

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 4,02

(excl. BTW)

€ 4,86

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 14 oktober 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk
1 - 9	€ 4,02
10 - 99	€ 2,06
100 - 499	€ 1,87
500 +	€ 1,58

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 735-133
Fabrikantnummer:: SIRS5800DP-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	265A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	SiR
	Package Type	PowerPAK SO-8S
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0018Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	240W
	Forward Voltage Vf	80V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	81nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	2mm
	Width	5mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	6mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 265A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series SiR
	Package Type PowerPAK SO-8S
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0018Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 240W
	Forward Voltage Vf 80V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 81nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 2mm
	Width 5mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 6mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SiRS5800DP

Land van herkomst:: CN

The Vishay N-Channel MOSFET rated for 80V drain-source voltage, optimized for low-loss synchronous rectification in AI power server buck converters. It achieves industry-leading on-resistance of 1.8mΩ maximum at 10V gate drive for superior efficiency under high load conditions.

265A pulsed drain current rating

81nC typical total gate charge

52°C/W thermal resistance junction-to-case

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.