Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 518 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS4302DP

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 2,87

(excl. BTW)

€ 3,47

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 09 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 2,87
10 - 24€ 1,86
25 - 99€ 1,02
100 - 499€ 1,01
500 +€ 1,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-148
Fabrikantnummer:
SiRS4302DP
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

518A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiR

Package Type

PowerPAK SO-8S

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00057Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

153nC

Maximum Power Dissipation Pd

245W

Forward Voltage Vf

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5mm

Length

6mm

Height

2mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
TW
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications

87A continuous drain current at TA=25°C

Low RDS(on) x Qg figure-of-merit for superior switching performance

100% Rg and UIS tested construction

Gerelateerde Links