Vishay SiD N channel-Channel MOSFET, 421 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiDR500EP

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,97

(excl. BTW)

€ 4,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 23 februari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 3,97
10 - 49€ 2,46
50 - 99€ 1,91
100 +€ 1,40

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-149
Fabrikantnummer:
SiDR500EP
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

421A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SiD

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00047Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Forward Voltage Vf

30V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

120nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

7mm

Height

2mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
IL
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications

94A continuous drain current at TA=25°C

54.3nC typical total gate charge for fast switching

-55°C to +175°C extended junction temperature range

Gerelateerde Links