Vishay SiD N channel-Channel MOSFET, 227 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiDR626EP

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,55

(excl. BTW)

€ 4,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 3,55
10 - 49€ 2,21
50 - 99€ 1,70
100 +€ 1,26

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-139
Fabrikantnummer:
SiDR626EP
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

227A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SiD

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00174Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

68nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Forward Voltage Vf

60V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

2mm

Length

7mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
IL
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency synchronous rectification in AI power server solutions. It delivers very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive to minimize conduction losses in high-current DC/DC converter applications.

50.8A at TA=25°C and 227A at TC=25°C current ratings

Tuned for lowest RDS(on) x Qoss figure-of-merit

100% Rg and UIS tested for reliability

Gerelateerde Links