Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR638ADP

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 2,00

(excl. BTW)

€ 2,42

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 17 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 2,00
10 - 24€ 1,30
25 - 99€ 0,72
100 - 499€ 0,71
500 +€ 0,70

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-146
Fabrikantnummer:
SiR638ADP
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00088Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

40V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

7mm

Width

6mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 40V drain-source voltage, optimized for high power density DC/DC converters in AI server applications. It delivers ultra-low on-resistance of 0.88mΩ maximum at 10V gate drive for superior conduction efficiency in synchronous rectification circuits.

147S forward trans conductance

110nC total gate charge at 10V VGS

Qgd/Qgs ratio less than 1 for optimized switching

Gerelateerde Links