Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 2.5 A, 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8916EDB-T6-E1

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit artikel weer voorradig zal zijn, het wordt door de fabrikant stopgezet.
RS-stocknr.:
735-232
Fabrikantnummer:
SI8916EDB-T6-E1
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

MICRO FOOT

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

0.77W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.6nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.13mm

Length

1.11mm

Width

1.11mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.