Vishay MaxSiC N channel-Channel MOSFET, 52 A, 1200 V N, 7-Pin TO-263-7L MXPQ120A045SE-1GE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 10,69

(excl. BTW)

€ 12,93

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 08 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 10,69
5 +€ 10,48

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
790-411
Fabrikantnummer:
MXPQ120A045SE-1GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-263-7L

Series

MaxSiC

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

4.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

82nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

268W

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.5mm

Length

9.23mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

10.28mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
TW
The Vishay 1200 V N-Channel SiC MOSFET is designed for demanding power applications, combining speed, reliability, and compliance. Its Advanced construction ensures efficient performance while meeting strict automotive and environmental standards.

AEC-Q101 qualified for automotive-grade reliability

Fast switching speed for improved efficiency

Halogen free for safer and eco-friendly use

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.