Vishay MaxSiC N channel-Channel MOSFET, 32 A, 1200 V N, 7-Pin TO-263-7L MXP120A080SE-T1GE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 8,03

(excl. BTW)

€ 9,72

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 07 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 8,03
10 - 49€ 4,98
50 - 99€ 3,85
100 +€ 3,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
790-413
Fabrikantnummer:
MXP120A080SE-T1GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

32A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

MaxSiC

Package Type

TO-263-7L

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

100mΩ

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Forward Voltage Vf

4.7V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

185W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

9.23mm

Width

10.28mm

Height

4.5mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
TW
The Vishay High performance N-Channel MOSFET is designed for efficient energy conversion in demanding applications, featuring Advanced switching capabilities and robust operational characteristics.

Fast switching speed enhances overall system performance

Short circuit withstand time of 3 μs improves reliability

Gate-source voltage of -10 to +22 V allows flexible operation

Continuous drain current of 32 A ensures effective functionality

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.