Fabrikantnummer

Vishay SiSS N-Channel MOSFET, 50.3 A, 80 V N, 8-Pin 1212-8S SISS32ADN-T1-BE3

RS-stocknr.:: 878-900
Fabrikantnummer:: SISS32ADN-T1-BE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SiSS N-Channel MOSFET, 50.3 A, 80 V N, 8-Pin 1212-8S SISS32ADN-T1-BE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 2,02

(excl. BTW)

€ 2,44

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 12 februari 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)	Per rol
1 - 9	€ 2,02
10 - 99	€ 0,95
100 - 499	€ 0,85
500 - 999	€ 0,67
1000 +	€ 0,64

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 878-900
Fabrikantnummer:: SISS32ADN-T1-BE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	50.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	SiSS
	Package Type	1212-8S
	Mount Type	Surface Mount
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0087Ω
	Channel Mode	N
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	65.7W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	3.4mm
	Width	3.4mm
	Height	0.83mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 50.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series SiSS
	Package Type 1212-8S
	Mount Type Surface Mount
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0087Ω
	Channel Mode N
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 65.7W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 3.4mm
	Width 3.4mm
	Height 0.83mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SISS32ADN-T1-BE3

Land van herkomst:: IL

The Vishay MOSFET delivers high performance in power management applications. Designed for efficiency, it excels in synchronous rectification and as a primary side switch in DC/DC converters, ensuring reliable energy control.

TrenchFET Gen IV technology provides enhanced efficiency

Very low on-state resistance minimises power losses

Comprehensive testing guarantees reliability and performance

Versatile package design suits various mounting requirements

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.