Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 208 A, 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR608DP-T1-BE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 2,17

(excl. BTW)

€ 2,63

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 12 februari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)
Per rol
1 - 9€ 2,17
10 - 24€ 1,42
25 - 99€ 0,84
100 - 499€ 0,82
500 +€ 0,79

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
904-976
Fabrikantnummer:
SIR608DP-T1-BE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

208A

Maximum Drain Source Voltage Vds

45V

Package Type

PowerPAK

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0012Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15mm

Standards/Approvals

ROHS

Length

6.15mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
IL
The Vishay power MOSFET designed to provide efficient switching and a high power density. With a robust performance profile, it features low on-resistance, ensuring optimal operation within DC/DC converter applications.

TrenchFET Gen IV design ensures excellent efficiency

45 V Drain-source breakdown voltage for reliable performance

Low on-state resistance rated at 0.00120 Ohm at 10V

Robust continuous drain current of 208 A at 25 °C

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.