Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD220N06L3GBTMA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 46,10

(excl. BTW)

€ 55,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
50 - 50€ 0,922€ 46,10
100 - 450€ 0,594€ 29,70
500 - 950€ 0,565€ 28,25
1000 - 2450€ 0,48€ 24,00
2500 +€ 0,469€ 23,45

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
110-7435
Fabrikantnummer:
IPD220N06L3GBTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™ 3

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

39.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

36 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

7 nC @ 4.5 V

Length

6.73mm

Transistor Material

Si

Width

6.22mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.41mm

Forward Diode Voltage

1.2V

N.v.t.

Gerelateerde Links