Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD220N06L3GBTMA1

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
110-7435
Fabrikantnummer:
IPD220N06L3GBTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™ 3

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

39.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

36 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

7 nC @ 4.5 V

Length

6.73mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Width

6.22mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

2.41mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

N.v.t.

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.